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研究開発報告書類（JAEA-Research等）学会誌等掲載論文口頭発表特許

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論文

In situ characterization of the heterointerfaces between SrO films and dangling-bond-terminated Si surfaces

朝岡秀人; 山崎竜也*; 山本博之; 社本真一

Thin Solid Films, 508(1-2), p.175 - 177, 2006/06

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.413

被引用回数：4 パーセンタイル：22.76(Materials Science, Multidisciplinary)

接合界面に水素終端処理を行うことによって格子不整合度による成長物質の制約が緩和されたSiとSrとの物質間でヘテロエピタキシャル成長に成功している。RHEEDなどによるその場観察法により成長初期段階から歪みのない薄膜結晶が成長する過程を見いだした。